22-23 October 2021
Asia/Shanghai timezone
半导体辐射探测器前端读出电子学ASIC芯片研究进展
Presented by 高 武
on
22 Oct 2021
from
09:40
to
10:10
Session:
特邀报告
Description
前端读出专用集成电路是半导体辐射探测器的重要组成部分,其性能是整个探测器系统性能的关键。前端读出芯片的研发涉及到粒子物理、辐射物理、微电子、电子工程和计算机等多学科的内容和基础,属于一种交叉学科方向,是现代微电子集成电路最尖端技术的综合。本报告主要介绍:
1)前端读出集成电路的信号处理方法、拓扑结构和主要特性,重点介绍前端读出ASIC低噪声、抗辐射、混合集成等关键技术的机遇和挑战。
2)半导体辐射探测器前端读出集成电路的现状与趋势。通过调研国内外几百种芯片,综合分析得到前端读出ASIC技术参数的规律和动态。
3)MicroGEM探测器前端读出ASIC现状及趋势。报告将给出国内外气体探测器相关的前端读出芯片进展情况。
4)西北工业大学前端读出电路芯片研究进展及下一步工作安排。